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Nano et Micro Technologies

1469-3399
Parution suspendue
 

 ARTICLE VOL 3/1-2 - 2003  - pp.183-200
TITRE
Circuits et capteurs intelligents intégrés en technologie CMOS SOI pour environnements et applications hétérogènes

RÉSUMÉ
Dans ce papier nous démontrons comment un procédé CMOS de base, SOI complètement déserté, peut être adapté en vue de procurer une gamme de performances très large et compatible avec la réalisation de microsystèmes hétérogènes micropuissance, à haute température ou radio-fréquences, incluant l'intégration de composants senseurs, analogiques et digitaux. Des exemples de microsystèmes à haute température et basse tension d'alimentation sont présentés.


ABSTRACT
In this paper, we demonstrate how a simple fully-depleted SOI CMOS process can be adapted to provide a wide range of performance compatible with the realization of heterogeneous micropower, high-temperature or RF microsystems which involve the integration of sensing, analog and digital components. High-temperature and low-voltage examples are discussed. MOTS-CLÉS : SOI, CMOS, circuits intégrés, capteurs, micropuissance, haute température, automobile, aérospatial.


AUTEUR(S)
Denis FLANDRE, Jean-Pierre RASKIN

MOTS-CLÉS
SOI, CMOS, circuits intégrés, capteurs, micropuissance, haute température, automobile, aérospatial.

KEYWORDS
SOI, CMOS, integrated circuits, sensors, micropower, high-temperature, automotive, aerospace.

LANGUE DE L'ARTICLE
Français

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